晶圓切割：從磨砂處理到芯片“誕生”
切割晶圓，“刀法”需精準(zhǔn)。從磨砂到切割，再到檢測(cè)，晶圓變成單個(gè)芯片的過(guò)程是怎樣的？
晶圓切割的良率
晶圓的良率非常重要，它最終決定晶圓的成本以及能否量產(chǎn)。良率還需要細(xì)分為晶圓良率、裸片良率和封測(cè)良率，總良率就是這三種良率的總和。例如，如果晶圓廠的一條生產(chǎn)線上的每道工序的良率高達(dá)99%，那么600道工序后的整體良率是多少？答案是 0.24%，幾乎是 0。
從晶圓制造、中期測(cè)試、封裝到最終測(cè)試，每一步都會(huì)對(duì)良率產(chǎn)生影響。晶圓良率越高，在同一晶圓上可以生產(chǎn)出的芯片就越好。
晶圓良率受制程設(shè)備、原材料等因素影響較大，要獲得更高的晶圓良率，首先要穩(wěn)定制程設(shè)備，定期恢復(fù)制程能力。另外，環(huán)境因素對(duì)wafer、Die、封測(cè)良率這三個(gè)良率都有一定的影響。常見的環(huán)境因素包括灰塵、濕度、溫度和光線亮度。因此，芯片制造和封裝測(cè)試的過(guò)程需要在超潔凈的工作環(huán)境中進(jìn)行。最后，還有技術(shù)成熟度的問(wèn)題。一般情況下，新工藝出來(lái)時(shí)，良率會(huì)很低。隨著生產(chǎn)的推進(jìn)和導(dǎo)致良率低的因素被發(fā)現(xiàn)和改進(jìn)，良率將不斷提高。
如何控制晶圓良率
對(duì)于晶圓制造實(shí)際生產(chǎn)線來(lái)說(shuō)，每臺(tái)制造設(shè)備的穩(wěn)定性都是非常重要的。如何減少晶圓切割損耗，降低成本，保證良率？
在大理石精密平臺(tái)研發(fā)和制造方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)克洛諾斯走在行業(yè)前列?？寺逯Z斯匯聚了行業(yè)精英人才，擁有現(xiàn)代化的管理方式，在2021年，成功研發(fā)一臺(tái)超精密氣浮運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，重復(fù)定位精度達(dá)±50nm，可應(yīng)用于晶圓切割工藝中。
克洛諾斯±50nm氣浮運(yùn)動(dòng)平臺(tái)是定位晶圓或芯片的部件設(shè)備，具有配套的精密移動(dòng)定位功能，主要特點(diǎn)：自主研發(fā)、重復(fù)定位精度 ±50nm、具有極高的精度和穩(wěn)定性。晶圓的切割技術(shù)對(duì)提高成品率和封裝效率有著重要影響，同時(shí)晶圓的大小也影響IC的成本，晶圓越大，對(duì)劃片（切割）設(shè)備的精度要求也越高。
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